SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 양산용 'High(하이) NA EUV' 장비를 이천 M16팹(Fab)에 반입했다.
3일 하이닉스에 따르면 '하이 NA EUV'는 기존 EUV보다 해상도를 크게 향상시킨 차세대 노광 장비다.
현재 존재하는 장비 중 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능해 선폭 축소와 집적도 향상에 핵심 역할을 할 수 있다.
이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로, High NA EUV 최초의 양산용 모델이다.
기존 EUV 대비 40% 향상된 광학 기술로 1.7배 가량 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 약 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.
반도체 제조업체가 생산성과 제품 성능을 높이기 위해 미세 공정 기술 고도화는 필수 사항으로 꼽힌다.
회로를 더 정밀하게 구현할수록 웨이퍼당 칩 생산량이 증가, 전력 효율과 성능도 함께 개선되기 때문이다.
앞서 SK하이닉스는 2021년 10나노급·4세대(1anm) D램에 EUV를 처음 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔다.
특히 미래 반도체 시장에서 요구될 극한 미세화와 고집적화를 위해 기존 EUV 장비를 넘어서는 차세대 기술 장비 도입을 추진했다.
SK하이닉스는 이번에 도입한 장비를 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 방침이다.
SK하이닉스 관계자는 "치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 수요에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"며 "파트너사와의 긴밀한 협력을 통해 글로벌 반도체 공급망의 신뢰성과 안정성을 한층 더 강화해 나가겠다"고 말했다. 홍승태 기자 hongst1125@dynews.co.kr